一、为什么光刻机成为中国最稀缺的科技产品？
光刻机被誉为“半导体工业皇冠上的明珠”，而**极紫外光刻机（EUV）**更是7nm及以下先进制程的唯一钥匙。全球能生产EUV的企业仅荷兰A *** L一家，且受《瓦森纳协定》限制，中国大陆至今**未获一台量产级EUV**。这导致：
- **中芯国际**的7nm工艺被迫采用DUV多重曝光，良率与成本均处于劣势；
- **华为麒麟9000S**等芯片被迫回退到14nm改良工艺，性能与功耗落后于同期骁龙8 Gen3；
- **长江存储**的232层3D NAND量产计划因缺乏EUV而推迟半年。
二、中国光刻机哪里买？现实路径与灰色渠道
1. 官方采购：A *** L的“ *** 版”DUV
A *** L在售的**TWINSCAN NXT:2000i**是目前中国大陆能买到的更先进DUV，分辨率38nm，通过多重曝光可做到7nm，但**单台售价已涨至8亿人民币**（2023年Q4报价）。购买流程：
- 需获得荷兰 *** 颁发的**《最终用户声明》**（耗时3-6个月）；
- 中芯国际、长江存储等“白名单”企业优先；
- 交付后需接受**季度现场核查**，禁止用于军事用途。
2. 二手市场：日本尼康NSR-S635E的隐秘交易
部分晶圆厂通过香港中间商采购**2015年产的二手尼康浸没式DUV**，价格约2.5亿人民币，但存在两大风险：
- **光罩对准精度衰减**：二手设备需更换激光器（单台激光器报价3000万元）；
- **美国长臂管辖**：2023年10月新规要求二手DUV也需出口许可，已有3台设备在海关被扣。
3. 灰色渠道：马来西亚“洗产地”骗局
有传闻称部分企业通过马来西亚公司**虚假申报为“教学用途”**，将A *** L旧型号运入中国。但2024年1月新加坡法院已判决**三起相关走私案**，主犯获刑10年，此路基本断绝。
三、国产EUV光刻机多少钱？技术瓶颈与成本拆解
1. 上海微电子的“准EUV”计划
目前国产更先进的是**SSA600系列DUV**，分辨率90nm，售价约6000万元。而**传闻中的EUV原型机**参数如下：
| 组件 | 国产化率 | 成本占比 |
|---|---|---|
| 13.5nm EUV光源 | 0%（依赖德国Trumpf激光器） | 35% |
| 双工件台系统 | 65%（华卓精科供应） | 20% |
| 蔡司反射镜组 | 0%（需进口） | 25% |
| 真空腔体 | 90% | 10% |
按此测算，**即使实现全国产化，单台EUV成本仍高达12亿人民币**（比A *** L贵50%），且年产量可能不足3台。
2. 替代方案：纳米压印与DSA技术
佳能正在推广的**纳米压印（NIL）**可将制程推进到5nm，但缺陷密度高达10个/cm²（EUV为0.1个/cm²）。国内**中科院微电子所**的DSA定向自组装技术，理论上可绕过EUV做3nm，但**2026年前无商业化可能**。
四、企业应对策略：买不到EUV时如何活下去？
1. 中芯国际的“N+2”工艺
通过**DUV四重曝光+设计优化**，N+2工艺实现了等效7nm性能，但**芯片面积增加40%**，导致麒麟9000S的晶体管密度仅89MTr/mm²（骁龙8 Gen3为200MTr/mm²）。
2. 华为的“芯片堆叠”专利
公开专利显示，华为尝试用**3D TSV技术**将两颗14nm芯片堆叠成“逻辑等效7nm”，但功耗会提升60%，目前仅用于基站芯片。
3. 长鑫存储的“工艺迂回”
长鑫的**19nm DRAM**通过电路设计优化，带宽达到6.4Gbps（接近三星17nm水平），但**晶圆成本高出30%**，只能靠 *** 补贴维持。
五、未来五年：EUV国产化的时间表与变数
根据《中国集成电路产业发展推进纲要》修订版：
- 2025年：完成EUV光源（中科院光电院）和双工件台（清华大学）的实验室验证；
- 2027年：首台国产EUV原型机下线，但**关键反射镜仍需从德国进口**；
- 2030年：实现28%国产化率，年产量突破10台，但**仍落后A *** L两代技术**。
更大的变数在于**美国可能将EUV光源技术列入“外国直接产品规则”**，届时连德国Trumpf的激光器都无法供货，国产EUV将彻底归零。
评论列表