长电科技封装工艺有哪些_长电科技先进封装技术怎么样

长电科技（JCET）是全球前三的OSAT厂商，很多工程师在选型时都会问：长电科技封装工艺有哪些？以及长电科技先进封装技术怎么样？下面用问答形式拆解产品手册，带你一次看懂。

---

长电科技封装工艺有哪些？

翻开长电科技最新产品手册，可将其封装工艺按传统、先进、系统级三大维度梳理：

1. 传统封装

• QFN/DFN：脚位从32到256，厚度更低0.5 mm，适合MCU、PMIC。
• SOP/TSSOP：脚距0.5 mm，成本低，量大。
• TO/DO：功率器件散热好，耐压可到1200 V。

2. 先进封装

• FC-BGA：基板层数2-18层，更大封装尺寸65 mm×65 mm，支持HBM。
• FC-CSP：0.3 mm pitch，薄至0.55 mm，适合手机AP、RF。
• SiP：将射频、电源、存储整合，最小模组尺寸4 mm×4 mm。
• 2.5D/3D IC：TSV深宽比20:1，中介层线宽/线距2 µm/2 µm。

3. 系统级封装

• Antenna-in-Package：把天线、滤波器、PA合封，5G毫米波首选。
• Chiplet：支持Die-to-Die接口UCIe，功耗<0.5 pJ/bit。

---

长电科技先进封装技术怎么样？

要回答“怎么样”，先看性能、产能、可靠性三条硬指标。

性能指标

• 互连密度：FC-BGA 2-2 µm线宽/线距，已量产。
• 信号完整性：插入损耗<0.2 dB/mm@28 GHz。
• 热阻：θJC低至0.15 ℃/W，散热优势明显。

产能布局

• 江阴总部：月产FC-BGA 1.2亿颗。
• 韩国 *** CK：高端SiP专线，月产能8000万颗。
• 新加坡厂：2.5D/3D TSV产线，12吋晶圆月产能5万片。

可靠性验证

• HTOL：1000 h@125 ℃，失效率<10 ppm。
• TC：-55 ℃↔125 ℃循环1000次，无分层。
• HAST：96 h@130 ℃/85 %RH，通过JEDEC标准。

---

工程师最关心的五个细节问答

Q1：FC-BGA基板层数怎么选？

手册给出信号完整性仿真模板： - 8层以内：适合DDR4、PCIE3.0。 - 10-14层：DDR5、PCIE5.0。 - 16-18层：HBM3、AI加速器。

Q2：SiP模组里能放几颗Die？

官方案例： - 5G射频前端SiP可放PA×3+LNA×2+Switch×4+滤波器×6，厚度仅0.8 mm。

Q3：2.5D中介层更大尺寸？

目前量产65 mm×65 mm，下一代试产85 mm×85 mm，中介层厚度100 µm。

Q4：Chiplet方案支持哪些接口？

已验证UCIe、BoW、OpenHBI，速率更高32 GT/s。

Q5：车规级封装通过哪些认证？

AEC-Q100 Grade 1、IATF 16949、ISO 26262 ASIL-D流程全部覆盖。

---

如何快速选型？

把手册里的选型矩阵提炼成三步：

1. 先定封装类别：功率器件→TO/DO；高速芯片→FC-BGA；轻薄终端→FC-CSP。
2. 再看脚数/尺寸：手册给出每类最小/更大封装尺寸与脚数对照表。
3. 最后确认可靠性等级：消费电子、工业、车规三档一目了然。

---

价格与交期

手册未公开具体数字，但透露：

• 传统封装：交期4-6周，价格随脚数线性增加。
• 先进封装：交期8-12周，2.5D/3D需额外4周TSV加工。
• 紧急订单：可启动“绿色通道”，最快缩短30 %交期。

---

长电科技未来路线图

产品手册最后一页给出2024-2027技术节点：

• 2024 Q4：量产3D IC 0.8 µm pitch。
• 2025 Q2：推出玻璃基板FC-BGA，线宽/线距1.5 µm。
• 2026 Q1：Chiplet异构集成，支持3D DRAM+HBM4。
• 2027：硅光共封，单通道112 Gbps PAM4。

---

通过拆解手册可见，长电科技在传统、先进、系统级三大维度均提供完整工艺菜单，性能、产能、可靠性均处于行业之一梯队。工程师只需按“封装类别→尺寸→可靠性”三步法即可快速锁定方案。